പൈസോറെസിസ്റ്റീവ് പ്രഷർ സെൻസറുകൾപ്രധാനമായും പൈസോറെസിസ്റ്റീവ് ഇഫക്റ്റിനെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളവയാണ്. മെക്കാനിക്കൽ സ്ട്രെസ് പ്രകാരം ഒരു മെറ്റീരിയലിന്റെ ചെറുത്തുനിൽപ്പിലെ മാറ്റം വിവരിക്കുന്നതിന് പൈസോറെസിസ്റ്റീവ് ഇഫക്റ്റ് ഉപയോഗിക്കുന്നു. പീസോലക്ട്രിക് ഇഫക്റ്റ് പോലെ, പ്യൂസോറെസിസ്റ്റീവ് ഇഫക്റ്റ് ഇംപെഡൻസിൽ ഒരു മാറ്റം സൃഷ്ടിക്കുന്നു, ഒരു ഇലക്ട്രിക് ചാർജല്ല.
മിക്ക ലോഹവും അർദ്ധചാരിക വസ്തുക്കളിലും പൈസോറെസിസ്റ്റീവ് ഇഫക്റ്റുകൾ കണ്ടെത്തിയിട്ടുണ്ട്. രൂപഭേദം, എന്നാൽ മെറ്റീരിയലിന്റെ സമ്മർദ്ദവുമായി പ്രതിരോധിക്കുന്നതിൽ നിന്ന് തന്നെ, അതിന്റെ മൂന്ന് ചാപല്യം ബാൻഡ് വാലി ജോഡികളുടെ സ്ഥാനക്രമണങ്ങളെക്കാൾ നൂറുകണക്കിന് തവണയും വിവിധ ഭാഗങ്ങളുടെ പുനർവിതരണ മാറ്റമാണ്. രണ്ടാമത്തേത് തുല്യമായ പിണ്ഡത്തിന്റെ മാറ്റമാണ്. ചാലക ബാൻഡ് വാലിയുടെ ആകൃതിയിലുള്ള മാറ്റം. പി-ടൈപ്പ് സിലിക്കൺ, ഈ പ്രതിഭാസം കൂടുതൽ സങ്കീർണ്ണമാവുകയും തുല്യമായ മാറുകളിലേക്കും ദ്വാരത്തിലേക്കും നയിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു.
പൈസോറെസിസ്റ്റീവ് പ്രഷർ സെൻസറുകൾ സാധാരണയായി ലീഡുകൾ വഴി ഒരു ന്യായമായ പാലവുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു. സെൻസർ സമ്മർദ്ദം ചെലുത്തപ്പോൾ, ചിപ്പ് റെസിസ്റ്റൻസ് മാറ്റങ്ങൾ പാലത്തിന് അനുരൂപമാകും. നിലവിലുള്ളത്. നോൺ-ലീനിയർ തിരുത്തൽ ലൂപ്പ് കാരണം നിലവിലെ സിഗ്നൽ നഷ്ടപരിഹാരം നൽകുന്നു, അതായത്, ഇൻപുട്ട് വോൾട്ടേജിനൊപ്പം ഒരു സ്റ്റാൻഡേർഡ് output ട്ട്പുട്ട് സിഗ്നൽ ജനറേറ്റുചെയ്തു.
കാമ്പിന്റെ പ്രതിരോധ മൂല്യത്തെക്കുറിച്ചുള്ള താപനില മാറ്റത്തിന്റെ സ്വാധീനം കുറയ്ക്കുന്നതിനും അളവിലുള്ള കൃത്യത മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനും, ആപ്ലിക്കേഷൻ സെൻസർ താത്പരം, സംവേദനക്ഷമത, രേഖീയത, സ്ഥിരത എന്നിവ നിലനിർത്തുന്നതിനുള്ള താപനില നഷ്ടപരിഹാരം നൽകൽ.
പോസ്റ്റ് സമയം: ഏപ്രിൽ -03-2022